擴散硅壓力傳感器系全部采用進口芯片，經過精心的結構設計，信號處理和組裝，并按照國家標準和企業(yè)標準，進行測試而生產出來的新一代壓力傳感器�；驹硎抢冒雽w的壓阻效應和微機械加工技術，在單晶硅片的特點晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制作一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產生微應變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變小）再激勵電壓信號輸出，經過計算機溫度補償、激光調阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產出具有標準輸出信號的壓力變送器。
特點
輸出溫度靈敏度高
一般應變式傳感器輸出僅為10mV左右，而擴散硅傳感器滿量程輸出為100mV左右，干擾及噪音等因素影響相對較小，放大電路成本也相應降低，分辨率大大提高。零壓力附近無死區(qū)。
精度高，重復性好
擴散硅壓阻式壓力傳感器實現了壓力受感，壓力傳遞，力-電轉換在同一元件上實現，無中間轉換環(huán)節(jié)，無壓力滯后，無機械位移變形，保證了極小的重復性和遲滯誤差，和良好的線性度，無蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長。
良好的溫度特性
由于采用了激光調阻，計算機補償等先進技術和巧妙控制擴散濃度，實現滿量程溫度漂移（靈敏度溫度系數）自補償�？朔税雽w晶片本身溫度系數大的缺陷，使變送器的靈位和滿度溫控制到了較小的范圍，拓寬了使用溫區(qū)。
適合于危險易爆的領域和場所應用
擴散硅壓力傳感器，變送器具有低電流、低電壓、低功耗的特點。
高可靠性和抗干擾性能
產品由于采用了不銹鋼材質與特殊防護結構，和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護手段，提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力，完全適合一般工業(yè)現場測量和控制的需要。
技術參數
技術對象：液體、氣體或蒸汽
測量范圍：表壓：0-1kpa~100mpa 絕壓：0~100kpa~35Mpa,負壓：-0.1Mpa~2Mpa
輸出：4~20MADC
電源：12~36VDC
負載特性：4~20mADC 二線制
溫度范圍：-40℃~+85℃
外殼防護：優(yōu)于IP65
防爆 類型：隔爆型ExdⅡCT6
綜合精度： 精度等級：0.1%、0.2%
穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.25%FS/3年
溫度影響：-10℃~+60℃范圍內，變化量小于±0.1%/10℃(0.1級) 變化量小于±0.15%/10℃(0.2級)
-30℃~-10℃，60℃~+85℃：變化量小于±0.15%/10℃（0.1級） 變化量小于±0.2%/10℃（0.2級）
振動影響 在任何方向上振動頻率為20-200Hz時，變化量小于±0.02%BFSL。
沖擊影響 任何方向100G沖擊11ms后，變化量小于±0.02%BFSL
負載影響 只要輸入變送器的端子電壓高于12V，就無負載影響。
位置影響：安裝位置不影響零點
結構材料 外殼：不銹鋼和低銅鑄鋁
接觸介質材料與選擇的傳感器類型及采用的密封方式有關
全焊接結構：316L ss
"O“型圈密封結構：聚四氯乙烯或氟橡膠
過程連接：標準提高M20*1.5外螺紋
電氣連接：可根據需從任何一個出口引出，建議使用10工業(yè)電纜作為引線，以便密封，引出接頭可選用通用電纜接頭PG16或M20*1.5,不引線一端用端蓋封住。
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